본문 바로가기

본문

삼성, 파운드리 고객 확보 위해 '차세대 3나노 공정 기술' 전격 공개

중앙일보 2019.05.15 11:42
삼성전자가 2020년 이후 도입할 첨단 기술인 차세대 3나노 반도체 공정 기술을 팹리스 업체(칩 설계 회사)에 전격 공개했다. 파운드리(반도체 위탁생산) 분야의 고객을 선점하기 위해 차세대 공정 기술을 팹리스 업체와 공유하기로 한 것이다. 더 많은 고객 잡기 싸움인 파운드리 분야에서 글로벌 1위 달성을 위한 공세를 본격화한 셈이다. 
 
미국 산타클라라에서 14일 열린 '삼성 파운드리 포럼 2019'에서 정은승 삼성전자 파운드리 사업부 사장이 기조 연설을 하고 있다.                                     [사진 삼성전자]

미국 산타클라라에서 14일 열린 '삼성 파운드리 포럼 2019'에서 정은승 삼성전자 파운드리 사업부 사장이 기조 연설을 하고 있다. [사진 삼성전자]

 
삼성전자는 14일 미국 산타클라라 메리어트호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2019'를 개최했다. 삼성전자 측은 "올해 포럼에서 반도체의 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early) 공정 설계 키트를 고객들에게 배포했다"고 밝혔다. 3GAE 공정 설계 키트는 파운드리 회사인 삼성전자의 제조 공정에 최적화된 반도체를 팹리스 업체가 설계할 수 있도록 지원하는 프로그램이다. 특히 삼성전자의 3GAE는 현재 최신 기술로 꼽히는 7나노 기반의 칩 대비 면적이 45% 줄어 들어 웨이퍼 한 장에서 더 많은 칩을 생산할 수 있다. 또 소비 전력이 50% 정도 감소하고, 성능은 35% 향상한다는 게 삼성전자의 설명이다. 
 
삼성전자가 선언한 '2030년까지 비메모리 반도체 1위'를 달성하기 위해선 파운드리와 시스템LSI반도체 시장의 점유율을 높여야 한다. 이중 파운드리는 미세공정 기술 싸움이다. 누가 더 칩 면적을 줄이고 성능을 높여 생산 효율성을 높이느냐의 경쟁이다. 삼성전자가 이번 포럼에서 미래 시장을 주도할 3나노 기반의 공정 기술을 팹리스업체와 공유한 것은 결국 삼성전자에 칩 생산을 맡기는 팹리스업체를 더 많이 확보하겠다는 의지가 담겨 있는 것이다.  
 

차세대 3나노 기반의 반도체 GAA(Gate-All-Around) 구조 공정              [자료=삼성전자]

차세대 3나노 기반의 반도체 GAA(Gate-All-Around) 구조 공정 [자료=삼성전자]

  
삼성전자는 "더 나아가 3나노 공정에서 독자적인 MBC FET(MultiBridge Channel FET) 기술을 통해 차별화된 이점을 팹리스 고객사들에게 제공할 계획"이라고 밝혔다. MBC FET은 반도체에 전류를 통하게 할 때 기존의 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA(Gate-All-Around)구조를 한층 더 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 방식으로, 성능과 전력 효율을 높이고 기존 반도체 설비와 제조 기술을 활용할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 
  
관련기사
 
삼성전자는 또 팹리스 고객에게 설계 편의를 제공하기 위해 'SAFE-클라우드' 서비스를 시작한다. 아마존 웹 서비스(AWS), 마이크로소프트(MS), 자동화 설계툴(EDA) 회사인 케이던스, 시놉시스와 함께 진행하며 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다. 팹리스 고객들이 SAFE-클라우드 서비스의 공정 설계나 자동화 설계 도구 등을 이용하면 투자 비용을 줄이고 보다 빨리 반도체를 제작할 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다.  
 
정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "이번 포럼을 통해 팹리스 업체와 반도체 공정과 생산, 패키지 분야의 앞선 기술과 비전을 공유해 파운드리 시장의 입지를 더욱 넓힐 수 있을 것"이라고 말했다. 
 
장정훈 기자 cchoon@joongang.co.kr
 
공유하기

Innovation Lab

Branded Content

광고 닫기